英特尔可以在 2025 年前重新夺回制程技术领先地位
英特尔目前正在执行其在四年内成功开发五个节点的计划,这是一个积极的路线图,通向 Angstrom 的测量有时被称为“英特尔加速”。
半导体咨询公司 IC Knowledge 的总裁兼所有者 Scotten Jones 最初对雄心勃勃的半导体计划持怀疑态度,但他的头似乎已被最近的投资者事件所扭转。
琼斯本周为SemiWiki撰写了一篇文章,解释了他对英特尔计划到 2025 年重新获得技术领先地位的信心。直到最近,琼斯还告诉投资公司,英特尔可能永远赶不上台积电。然而,最近发生的事件和重新绘制的路线图改变了他的想法。
英特尔 CEO Pat Gelsinger 的领导为英特尔注入了巨大的剂量野心。但是,虽然谈论一款好游戏很容易,但交付完全是另一回事。
作为庆祝在俄勒冈州开设 30 亿美元 D1X Mod3 工厂扩建项目的一部分,英特尔发布了一个幻灯片。(你可以在这里看到我们关于新工厂扩建的故事的完整 11 页。)。在甲板的第五页,路线图的一个细微变化引起了琼斯的注意(见上面的单张幻灯片)。从 2025 年到 2024 年,英特尔已经悄然但自信地引入了路线图上最先进的 18A 工艺。
在对英特尔计划的分析中,Jones 回顾了几年,描绘了一幅显示英特尔如何陷入这一困境的画面——失去其技术和工艺领导地位(例如,14 纳米在水中踩踏,而 10 纳米则陷入困境)。更有趣的是,半导体老板和 IEEE 高级成员打开他的 RGB 水晶球,与我们谈论 2022 年剩余时间,一直到 2025 年。
琼斯表示,在接下来的几年里,英特尔、台积电和三星之间的三匹马赛跑中,所有公司在做出重大改变时都会有各种粘性补丁。这些重大变化可能会对路线图产生不利影响,但另一方面,它们对于掌握竞争优势至关重要。
从 2022 年到 2025 年,英特尔将越来越多地使用 EUV 机器。它还将开始引入水平纳米片 (HNS) 技术(这一过程最近让三星放慢了速度)并与 RibbonFET 一起首次亮相。使用称为 PowerVia 的技术也正在改进电力传输。英特尔一直在滴答作响地达到 18A。