不久前，联发科推出了最新的智能手机旗舰 SoC 天玑 9000。新的芯片组尚未在当前市场上的任何智能手机中找到它的方式。与此同时，随着继任者的发展，该公司似乎已经取得了重大进展。

据Telegram上的Equal Leaks报道，联发科的下一代旗舰 SoC 将基于 3nm 工艺节点。考虑到包括 Dimensity 9000 在内的所有当前旗舰芯片组都使用 4nm 架构，这是预期的世代升级。

据报道，芯片巨头台积电将生产即将推出的联发科芯片组。与上一代 SoC 即基于 5nm 工艺的 SoC 相比，台积电 3nm 芯片组的逻辑密度将提高 1.7 倍，并将带来 11% 的性能提升。功耗也将下降 25% 到 30%。

顾名思义，联发科的下一代旗舰 SoC 预计将被称为天玑 10000。该公司已经在其阵容中拥有天玑 8000 和天玑 9000，因此天玑 10000 似乎是一个合乎逻辑的品牌。在接下来的几个月里，事情应该会变得更加清晰。联发科希望在今年年底之前发布新处理器。

联发科天玑 10000 将与高通的骁龙 8 Gen 2 竞争

近年来，联发科与高通的芯片大战愈演愈烈。前者在 2020 年推翻了美国大佬，成为全球最大的智能手机芯片制造商。但后者在被认为是最关键市场的旗舰市场上仍然占据上风。

然而，联发科目前的旗舰产品天玑 9000 可能会在今年让高通的 Snapdragon 8 Gen 1 物有所值。这两个 SoC 在纸面上看起来和另一个一样好。天玑 10000 和骁龙 8 Gen 2 的时代到来了，联发科也可能脱颖而出。这是基于早期报道称，高通的下一代旗舰 SoC 将基于台积电的 4nm 工艺。

不过，如果台积电的 3nm 技术能够在今年年底前量产，高通就没有理由坚持目前的 4nm 节点。据说这家公司今年将投资约 440 亿美元来扩大其芯片业务。因此，下一代芯片制造技术很可能在 2022 年 12 月投入生产。